宽带隙半导体，室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光股份和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

Warning: Undefined array key "ReferenceList" in /www/wwwroot/wosha.com/id.php on line 495

Warning: foreach() argument must be of type array|object, null given in /www/wwwroot/wosha.com/id.php on line 495